MOSFET场效应管是供电部分最重要的元件之一, 昂达7600GS“神戈”采用的是英飞凌出产的MOSFET管,这种场效应管的抗阻值只有7-9毫欧,发热量低、适合超频,性能远远强过其他日系,台系的同类产品。同时由于采用三相供电技术,使得MOSFET管温度更低,更有利于稳定的超频。
昂达7600GS“神戈”采用128M/128bit三星DDR3高速显存(1.4ns),三星显存的超频性能也为玩家所称道,其DDR3颗粒通常电器性能更高,因此常比同类颗粒具备更强超频性能和更佳稳定性,就昂达7600GS“神戈”来说,其默认的核心和显存频率就达到了惊人的600/1500MHZ且稳定运行,并可稳定超频至680/1700MHz,其豪华的做工和用料保证功不可没。